MB2S ， MB4S & MB6S
威世通用半导体
10
30
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
1.5
25
20
15
0.1
脉冲
宽度
= 300
µs
1 ％占空比
0.01
0.3
10
5
0
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0.1
1
10
100
1000
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向电压特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
100
瞬时反向漏
电流（ μA ）
10
T
J
= 125 °C
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性每二极管
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
0.029 (0.74)
0.017 (0.43)
TO- 269AA （ MBS ）
贴装焊盘布局
0.023 MIN 。
（ 0.58 MIN 。 ）
0.161 (4.10)
0.144 (3.65)
0.272 (6.90)
0.252 (6.40)
0.272 MAX 。
（ 6.91 MAX 。 ）
0.030 MIN 。
（ 0.76 MIN 。 ）
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.195 (4.95)
0.179 (4.55)
0
8°
0.205 (5.21)
0.195 (4.95)
0.049 (1.24)
0.039 (0.99)
0.062 (1.57)
0.058 (1.47)
0.105 (2.67)
0.095 (2.41)
0.106 (2.70)
0.090 (2.30)
0.008 (0.20)
0.004 (0.10)
0.114 (2.90)
0.110 (2.80)
0.058 (1.47)
0.054 (1.37)
0.114 (2.90)
0.094 (2.40)
0.0075 (0.19)
0.0065 (0.16)
0.038 (0.96)
0.019 (0.48)
0.016 (0.41)
0.006 (0.15)
0.018 (0.46)
0.014 (0.36)
文档编号： 88661
修订： 01 -FEB -08
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