IRFR110 ， IRFU110 ， SiHFR110 ， SiHFU110
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 8.1 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 4.3 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.6 A， di / dt的
≤
75 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1 “方形板（ FR-4或G- 10材料）。
符号
T
J
, T
英镑
极限
- 55至+ 150
260
d
单位
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
（ PCB安装）
a
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
-
马克斯。
110
50
5.0
° C / W
单位
记
一。当安装在1 “方形板（ FR-4或G- 10材料）。
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 µA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 µA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 2.6 A
b
100
-
2.0
-
-
-
-
1.6
-
0.13
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
25
250
0.54
-
V
V /°C的
V
nA
µA
Ω
S
V
DS
= 50 V，I
D
= 2.6 A
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
180
80
15
-
-
-
6.9
16
15
9.4
4.5
7.5
-
-
-
8.3
2.3
3.8
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.6 A，V
DS
= 80 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 50 V，I
D
= 5.6 A,
R
G
= 24
Ω,
R
D
= 8.4
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
-
-
G
S
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2
文档编号： 91265
S- 81394 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
