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IRFPS37N50A 参数 Datasheet PDF下载

IRFPS37N50A图片预览
型号: IRFPS37N50A
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 8 页 / 156 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRFPS37N50A , SiHFPS37N50A
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(最大) ( Ω )
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
180
46
71
单身
D
特点
500
0.13
•低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
•改进的门,雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
•充分界定电容和雪崩电压
和电流
•有效的C
OSS
特定网络版
•铅(Pb) ,免费提供
SUPER-247
TM
应用
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
•开关模式电源(SMPS )
·不间断电源
•高速电源开关
典型SMPS拓扑
•全桥转换器
•功率因数校正升压
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
SUPER-247
TM
IRFPS37N50APbF
SiHFPS37N50A-E3
IRFPS37N50A
SiHFPS37N50A
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
500
± 30
36
23
144
3.6
1260
36
44
446
3.5
- 55至+ 150
300
d
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
重复性雪崩
当前
a
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。起始物为
J
= 25 ° C,L = 1.94 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 36 A(见图12 ) 。
C.我
SD
36 A, di / dt的
145 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91258
S- 81368 -REV 。 B, 21 -JUL- 08
www.vishay.com
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