IRFP9140 ， SiHFP9140
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
61
14
29
单身
S
特点
- 100
0.20
•
•
•
•
•
•
•
•
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
隔离区安装孔
175°C的工作温度
快速开关
易于并联的
铅（Pb ） ，免费提供
RoHS指令
柔顺
TO-247
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在TO- 247封装的首选商业工业
应用更高的功率水平排除使用
的TO-220的设备。该TO- 247类似，但优于
早期的孤立mouting孔TO- 218封装，因为。
它还提供了引脚之间更大的爬电距离
满足大多数安全技术规范的要求。
S
D
G
D
P沟道MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
TO-247
IRFP9140PbF
SiHFP9140-E3
IRFP9140
SiHFP9140
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
- 100
± 20
- 21
- 15
- 84
1.2
960
- 21
18
180
- 5.5
- 55〜 + 175
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= - 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 3.3 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 21 A（见图12 ）。
C.我
SD
≤
- 21 A， di / dt的
≤
200 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91238
S-挂起-REV 。 A， 26军08
www.vishay.com
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WORK -IN -PROGRESS
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
