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IRFL9110 参数 Datasheet PDF下载

IRFL9110图片预览
型号: IRFL9110
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 1392 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRFL9110 , SiHFL9110
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
- 100
V
GS
= - 10 V
8.7
2.2
4.1
单身
S
特点
表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
快速开关
易于并联的
铅(Pb ) ,免费提供
可用的
1.2
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
采用SOT - 223封装是专为采用表面贴装
气相,红外,或波焊工艺。其
独特的包装设计,可以很容易地自动
拾取和放置与其他SOT或SOIC封装,但有
的改进的热性能,因为所添加的优点
用于散热的放大片。功率耗散
大于1.25 W是可能在一个典型的表面安装
应用程序。
SOT-223
G
D
P沟道MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
一。请参阅设备的方向。
SOT-223
IRFL9110PbF
SiHFL9110-E3
IRFL9110
SiHFL9110
SOT-223
IRFL9110TRPbF
a
SiHFL210T-E3
a
IRFL9110TR
a
SiHFL9110T
a
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
- 100
± 20
- 1.1
- 0.69
- 8.8
0.025
0.017
100
- 1.1
0.31
3.1
2.0
- 5.5
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子( PCB安装)
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
I
AR
雪崩电流
c
E
AR
峰值二极管恢复的dv / dt
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
T
A
= 25 °C
最大功率耗散( PCB安装)
dv / dt的
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议(峰值温度)
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= - 25 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 7.7 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 4.4 A(见图12 )。
C.我
SD
- 4.4 A, di / dt的
- 75 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料)。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91196
S- 81369 -REV 。 A, 07 -JUL- 08
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
www.vishay.com
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