IRFL210 ， SiHFL210
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
150
0.60
0.96
A
7.7
2.0
310
1.4
V
ns
µC
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 0.96 ，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 3.3 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
典型特征
25 ℃，除非另有说明
10
1
顶部
V
GS
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10
0
150
°
C
25
°
C
10
0
10
-1
10
-1
4.5
V
20
µs
脉冲
宽度
T
C
=
25 °C
10
-2
20
µs
脉冲
宽度
V
DS
=
50
V
4
5
6
7
8
9
10
10
-1
91193_01
10
0
10
1
91193_03
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
V
GS ，
栅极 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
图。 1 - 典型的输出特性，T
C
= 25 °C
I
D
，漏电流（ A）
10
0
V
GS
顶部
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
3.5
I
D
= 3.3 A
3.0
V
GS
= 10
V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
- 60 - 40 - 20
4.5
V
10
-1
20
µs
脉冲
宽度
T
C
=
150 °C
10
-1
10
0
10
1
0
20 40 60
80
100 120 140 160
91193_02
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
91193_04
T
J,
结温（ ° C）
图。 2 - 典型的输出特性，T
C
= 150 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号： 91193
S- 81377 -REV 。 A， 30军08
www.vishay.com
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