IRFD220 ， SiHFD220
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
14
3.0
7.9
单身
D
特点
200
0.80
•
•
•
•
•
•
•
•
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
自动插入
可堆叠结束
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
HEXDIP
描述
G
S
D
G
S
N沟道
MOSFET
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
4引脚DIP封装是一种低成本的机器导入案例
样式可被堆叠在多个组合上
标准0.1"销中心。双重排液作为热
连接到安装表面，用于功率耗散水平达
1 W.
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
HEXDIP
IRFD220PbF
SiHFD220-E3
IRFD220
SiHFD220
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
当前
a
T
C
= 25 °C
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
10秒
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
200
± 20
0.80
0.50
6.4
0.0083
260
5.2
0.10
1.0
5.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 152 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 1.6 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.2 A， di / dt的
≤
95 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91131
S- 81264 -REV 。 A， 21 -JUL- 08
www.vishay.com
1
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
