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IRFD110 参数 Datasheet PDF下载

IRFD110图片预览
型号: IRFD110
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 132 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRFD110 , SiHFD110
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃,除非另有说明
V
GS
10
1
顶部
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
10
1
25
°
C
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
175
°
C
10
0
10
0
4.5
V
20
µs
脉冲
宽度
T
C
=
25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
-1
4
91127_03
20
µs
脉冲
宽度
V
DS
=
50
V
5
6
7
8
9
10
91127_01
V
DS
,漏 - 源
电压
(V)
V
GS ,
栅极 - 源
电压
(V)
图。 3 - 典型的传输特性
图。 1 - 典型的输出特性,T
C
= 25 °C
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
10
1
顶部
I
D
,漏电流( A)
10
0
V
GS
15
V
10
V
8.0 V
7.0
V
6.0
V
5.5
V
5.0
V
底部4.5
V
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
I
D
= 5.6 A
V
GS
= 10
V
4.5
V
20
µs
脉冲
宽度
T
C
=
175 °C
10
-1
91127_02
10
0
10
1
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60
80
100 120 140 160 180
V
DS
,漏 - 源
电压
(V)
91127_04
T
J,
结温( ° C)
图。 2 - 典型的输出特性,T
C
= 175 °C
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
文档编号: 91127
S- 81263 -REV 。 A, 21 -JUL- 08
www.vishay.com
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