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    IRFD110PBF 参数 Datasheet PDF下载

    IRFD110PBF图片预览
    型号： IRFD110PBF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET [Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 132 K
    品牌： VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
     浏览型号IRFD110PBF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFD110PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFD110PBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFD110PBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFD110PBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFD110PBF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFD110PBF的Datasheet PDF文件第8页  
    IRFD110 ， SiHFD110
    Vishay Siliconix公司
    400
    I
    SD
    ，反向漏电流（ A）
    320
    电容（pF）
    V
    GS
    = 0
    V,
    F = 1 MHz的
    C
    国际空间站
    = C
    gs
    + C
    gd
    , C
    ds
    短
    C
    RSS
    = C
    gd
    C
    OSS
    = C
    ds
    + C
    gd
    175
    °
    C
    240
    C
    国际空间站
    160
    C
    OSS
    10
    0
    25
    °
    C
    80
    C
    RSS
    0
    10
    0
    91127_05
    10
    -1
    V
    GS
    = 0
    V
    10
    1
    0.5
    91127_07
    0.6
    0.7
    0.8
    0.9
    1.0
    1.1
    1.2
    V
    DS ，
    漏 - 源
    电压
    (V)
    V
    SD
    ，源极到漏极
    电压
    (V)
    图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
    图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
    20
    V
    GS
    ，栅 - 源
    电压
    (V)
    I
    D
    = 5.6 A
    V
    DS
    =
    80 V
    10
    2
    5
    在这一领域有限
    by
    R
    DS （ ON）
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    16
    V
    DS
    = 50
    V
    V
    DS
    = 20
    V
    2
    10
    5
    2
    12
    10
    µs
    100
    µs
    1
    ms
    10
    ms
    T
    C
    = 25
    °C
    T
    J
    = 175
    °C
    单脉冲
    2
    5
    8
    1
    5
    4
    测试电路
    见图13
    2
    0
    0
    91127_06
    2
    4
    6
    8
    10
    91127_08
    0.1
    0.1
    1
    2
    5
    10
    2
    5
    10
    2
    2
    5
    10
    3
    Q
    G
    ，总栅极电荷（ NC）
    V
    DS
    ，漏 - 源
    电压
    (V)
    图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
    图。 8 - 最高安全工作区
    www.vishay.com
    4
    文档编号： 91127
    S- 81263 -REV 。 A， 21 -JUL- 08

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