IRFBC40AS ， SiHFBC40AS
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
42
10
20
单身
D
特点
600
1.2
•低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
•改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
•全
特征
电容
雪崩电压和电流
•有效的C
OSS
特定网络版
•铅（Pb） ，免费提供
和
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
2
PAK （ TO-263 ）
应用
•开关模式电源（SMPS ）
G
·不间断电源
•高速电源开关
克ð
S
S
N沟道
MOSFET
典型SMPS拓扑
•单管正激
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC40ASPbF
SiHFBC40AS-E3
IRFBC40AS
SiHFBC40AS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC40ASTRLPbF
a
SiHFBC40ASTL-E3
a
IRFBC40ASTRL
a
SiHFBC40ASTL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRFBC40ASTRRPbF
a
SiHFBC40ASTR-E3
a
IRFBC40ASTRR
a
SiHFBC40ASTR
a
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
e
漏电流脉冲
A，E
线性降额因子
单脉冲雪崩
能源
b
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 29.6 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 6.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
6.2 A， di / dt的
≤
88 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。使用IRFBC40A / SiHFBC40A数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91113
S-挂起-REV 。 A， 23军08
www.vishay.com
1
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
600
± 30
6.2
3.9
25
1.0
570
6.2
13
125
6.0
- 55至+ 150
300
d
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
A
单位
V
WORK -IN -PROGRESS
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
