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IRF9630 参数 Datasheet PDF下载

IRF9630图片预览
型号: IRF9630
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 547 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRF9630 , SiHF9630
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(最大) ( Ω )
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= - 10 V
29
5.4
15
单身
S
特点
- 200
0.80
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
P沟道
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅(Pb ) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
TO-220
G
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平,以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
S
G
D
D
P沟道MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
TO-220
IRF9630PbF
SiHF9630-E3
IRF9630
SiHF9630
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在 - 10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
- 200
± 20
- 6.5
- 4.0
- 26
0.59
500
- 6.4
7.4
74
- 5.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩
当前
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复
dv / dt的
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= - 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 17 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= - 6.5 A(见图12 )。
C.我
SD
- 6.5 A, di / dt的
≤ 120
A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91084
S- 81272 -REV 。 B, 16军, 08
www.vishay.com
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