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IRF840APBF 参数 Datasheet PDF下载

IRF840APBF图片预览
型号: IRF840APBF
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 138 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRF840A , SiHF840A
Vishay Siliconix公司
10
5
10
4
I
SD
,反向漏电流( A)
电容(pF)
V
GS
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
国际空间站
10
2
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
1
10
3
10
2
C
OSS
10
C
RSS
1
1
91065_05
0.1
10
10
2
10
3
91065_07
V
GS
= 0
V
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V
DS ,
漏 - 源
电压
(V)
V
SD
,源极到漏极
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
V
GS
,栅 - 源
电压
(V)
I
D
=
8.0
A
V
DS
= 400
V
V
DS
= 250
V
10
2
在这一领域有限
by
R
DS ( ON)
10
µs
I
D
,漏电流( A)
16
V
DS
= 100
V
10
100
µs
1
ms
1
10
ms
T
C
= 25
°C
T
J
= 150
°C
单脉冲
10
10
2
10
3
10
4
12
8
4
测试电路
见图13
0
0
91065_06
0.1
10
20
30
40
91065_08
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
www.vishay.com
4
文档编号: 91065
S- 81275 -REV 。 A, 16军08