IRF840S ， SiHF840S
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
63
9.3
32
单身
D
特点
500
0.85
•
•
•
•
•
•
•
•
表面贴装
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅（Pb ） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
D
2
PAK （ TO-263 ）
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
在SMD - 220是一种表面贴装功率封装能力
容纳芯片尺寸最多HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。在SMD- 220
适合的，因为其低的高电流的应用
内部的连接电阻，并且可以消散到为2.0W
在一个典型的表面安装的应用程序。
G
克ð
S
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF840SPbF
SiHF840S-E3
IRF840S
SiHF840S
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF840STRLPbF
a
SiHF840STL-E3
a
IRF840STR
a
L
SiHF840STL
a
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF840STRRPbF
a
SiHF840STR-E3
a
IRF840STR
a
SiHF840STR
a
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
当前
a
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
500
± 20
8.0
5.1
32
1.0
0.025
510
8.0
13
125
3.1
3.5
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
I
DM
脉冲漏
线性降额因子
线性降额因子（ PCB安装）
e
E
AS
单脉冲雪崩能量
b
a
I
AR
雪崩电流
a
E
AR
Repetiitive雪崩能量
最大功率耗散
T
C
= 25 °C
P
D
e
最大功率耗散（ PCB安装）
T
A
= 25 °C
峰值二极管恢复的dv / dt
c
dv / dt的
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
焊接建议（峰值温度）
10秒
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 50 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 14 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 8.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
8.0 A ， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91071
S- 81432 -REV 。 A， 07 -JUL- 08
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
www.vishay.com
1
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
