IRF840 ， SiHF840
Vishay Siliconix公司
2500
2000
I
SD
，反向漏电流（ A）
电容（pF）
V
GS
= 0
V,
F = 1 MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
国际空间站
150
°
C
10
1
25
°
C
1500
1000
C
OSS
500
C
RSS
0
10
0
10
0
10
1
0.4
91070_07
V
GS
= 0
V
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
91070_05
V
DS ，
漏 - 源
电压
(V)
V
SD
，源极到漏极
电压
(V)
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
V
GS
，栅 - 源
电压
(V)
I
D
=
8.0
A
V
DS
= 400
V
V
DS
= 250
V
V
DS
= 100
V
10
2
5
在这一领域有限
by
R
DS （ ON）
10
µs
100
µs
I
D
，漏电流（ A）
16
2
10
5
12
2
1
ms
10
ms
8
1
5
4
测试电路
见图13
2
0
0
91070_06
15
30
45
60
75
91070_08
0.1
0.1
T
C
= 25
°C
T
J
= 150
°C
单脉冲
2
5
1
2
5
10
2
5
10
2
2
5
10
3
2
5
10
4
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏 - 源
电压
(V)
图。 8 - 最高安全工作区
图。 6 - 典型栅极电荷主场迎战漏 - 源极电压
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4
文档编号： 91070
S- 81290 -REV 。 B， 16军， 08
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
