IRF830AS ， IRF830AL ， SiHF830AS ， SiHF830AL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（最大） （ Ω ）
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
24
6.3
11
单身
D
特点
500
1.40
•低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
•改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
•充分界定电容和雪崩电压
和电流
•有效的C
OSS
特定网络版
•铅（Pb） ，免费提供
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
应用
•开关模式电源（SMPS ）
G
·不间断电源
•高速电源开关
G
S
D
G
D
S
典型SMPS拓扑
S
N沟道
MOSFET
•双管正激
•半桥和全桥
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
记
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF830ASPbF
SiHF830AS-E3
IRF830AS
SiHF830AS
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF830ASTRLPbF
a
SiHF830ASTL-E3
a
IRF830ASTRL
a
SiHF830ASTL
a
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF830ALPbF
SiHF830AL-E3
IRF830AL
SiHF830AL
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
500
± 30
5.0
3.2
20
0.59
230
5.0
7.4
3.1
74
5.3
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 18 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.0 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
5.0 A， di / dt的
≤
370 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。使用SiHF830A数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91062
S- 81352 -REV 。 A， 16军08
www.vishay.com
1
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
