IRF820AS ， SiHF820AS ， IRF820AL ， SiHF820AL
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（最大） （ Ω ）
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
17
4.3
8.5
单身
D
特点
500
3.0
•低栅极电荷Q
g
结果简单驱动
需求
•改进的门，雪崩和动态dv / dt的
耐用性
可用的
RoHS指令*
柔顺
•充分界定电容和雪崩电压
和电流
•有效的C
OSS
特定网络版
•铅（Pb） ，免费提供
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
G
应用
•开关模式电源（SMPS ）
·不间断电源
•高速电源开关
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
典型SMPS拓扑
•双管正激
•半桥和全桥
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
D
2
PAK （ TO-263 ）
IRF820ASPbF
SiHF820AS-E3
IRF820AS
SiHF820AS
I
2
PAK （ TO- 262 ）
IRF820ALPbF
SiHF820AL-E3
IRF820AL
SiHF820AL
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
雪崩电流
a
单脉冲雪崩能量
B，E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C，E
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
当前
A，E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
极限
500
± 30
2.5
1.6
10
0.4
10
140
2.5
5.0
50
3.4
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
单位
V
A
W / ℃，
A
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
T
C
= 25 °C
10秒
6-32或M3螺丝
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。起始物为
J
= 25 ° C，L = 45 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 2.5 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
2.5 A ， di / dt的
≤
270 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。使用IRF820A / SiHF820A数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 91058
S-挂起-REV 。 A， 02军， 08
www.vishay.com
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WORK -IN -PROGRESS
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
