IRF730A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRF730A
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内容描述：	功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 168 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

IRF730A ， SiHF730A

Vishay Siliconix公司

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

5.8

9.3

单身

特点

400

5.5

•低栅极电荷Q

结果简单驱动

需求

•改进的门，雪崩和动态dv / dt的

耐用性

•全

特征

电容

雪崩电压和电流

•有效Coss规定（见AN1001 ）

•铅（Pb），免费提供

和

可用的

RoHS指令*

柔顺

TO-220

应用

•开关模式电源（SMPS ）

·不间断电源

•高速电源开关

N沟道MOSFET

典型SMPS拓扑

•单管反激XFMR 。重置

•单管正激XFMR 。重置

（只有我们两个线路输入）

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

TO-220

IRF730APbF

SiHF730A-E3

IRF730A

SiHF730A

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

线性降额因子

单脉冲雪崩

重复性雪崩

能源

= 25 °C

dv / dt的

, T

英镑

10秒

6-32或M3螺丝

当前

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

极限

± 30

5.5

3.5

0.6

290

5.5

7.4

4.6

- 55至+ 150

300

1.1

W / ℃，

V / ns的

°C

磅力·中

N·m的

单位

重复性雪崩能量

最大功率耗散

峰值二极管恢复

dv / dt的

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。起始物为

= 25 ° C，L = 19 mH的，R

= 25

Ω,

= 5.5 A（见图12 ）。

C.我

≤

5.5 A， di / dt的

≤

90 A / μs的，V

≤

, T

≤

150 °C.

ð 。 1.6毫米的情况。

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

文档编号： 91045

S-挂起-REV 。 A， 19军08

www.vishay.com

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