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IRF640S 参数 Datasheet PDF下载

IRF640S图片预览
型号: IRF640S
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内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 2115 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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IRF640S , IRF640L , SiHF640S , SiHF640L
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
70
13
39
单身
D
特点
200
0.18
表面贴装
低调的通孔
可用磁带和卷轴
动态的dv / dt额定值
150 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
铅(Pb ) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK
(TO-263)
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
容纳芯片尺寸最多HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和最后尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。对D
2
朴适用
为,由于其低的内高电流的应用
连接性和可耗散高达2.0 W的一
典型的表面贴装应用。通孔版
( IRF640L / SiHF640L )可用于小尺寸应用。
G
G
D
S
S
N沟道
MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
一。请参阅设备的方向。
D
2
PAK ( TO-263 )
IRF640SPbF
SiHF640S-E3
IRF640S
SiHF640S
D
2
PAK ( TO-263 )
IRF640STRLPbF
a
SiHF6340STL-E3
a
IRF640STRL
a
SiHF640STL
a
D
2
PAK ( TO-263 )
IRF640STRRPbF
a
SiHF640STR-E3
a
IRF640STRR
a
SiHF640STR
a
I
2
PAK ( TO- 262 )
IRF640LPbF
SiHF640L-E3
IRF640L
SiHF640L
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
B,E
雪崩电流
a
Repetiitive雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
C,E
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
当前
A,E
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
极限
200
± 20
18
11
72
1.0
580
18
13
3.1
130
5.0
- 55至+ 150
300
d
单位
V
A
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 2.7 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 18 A(见图12 ) 。
C.我
SD
18 A, di / dt的
150 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
Ë 。采用IRF640 / SiHF640数据和试验条件。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91037
S- 81241 -REV 。 A, 07 -JUL- 08
www.vishay.com
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