IRF640 , SiHF640
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
70
13
39
单身
D
特点
200
0.18
•动态的dv / dt额定值
•额定重复性雪崩
•快速开关
•易于并联的
•简单的驱动要求
•铅(Pb) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平,以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
TO-220
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅(Pb ) - 免费
SNPB
TO-220
IRF640PbF
SiHF640-E3
IRF640
SiHF640
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
a
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
安装力矩
10秒
6-32或M3螺丝
T
C
= 25 °C
E
AS
I
AR
E
AR
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
极限
200
± 20
18
11
72
1.0
580
18
13
125
5.0
- 55至+ 150
300
d
10
1.1
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 50 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 2.7 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 18 A(见图12 ) 。
C.我
SD
≤
18 A, di / dt的
≤
150 A / μs的,V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
150 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91036
S- 81241 -REV 。 A, 07 -JUL- 08
www.vishay.com
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