欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IRF510 参数 Datasheet PDF下载

IRF510图片预览
型号: IRF510
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 功率MOSFET [Power MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 8 页 / 1065 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
 浏览型号IRF510的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF510的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF510的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF510的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF510的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF510的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF510的Datasheet PDF文件第8页  
IRF510 , SiHF510
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS ( ON)
(Ω)
Q
g
(最大值) ( NC )
Q
gs
( NC )
Q
gd
( NC )
CON组fi guration
V
GS
= 10 V
8.3
2.3
3.8
单身
D
特点
100
0.54
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
175°C的工作温度
快速开关
易于并联的
简单的驱动要求
铅(Pb ) ,免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和
成本效益。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平,以约50瓦的低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
TO-220
G
S
G
D
S
N沟道
MOSFET
订购信息
铅(Pb ) - 免费
SNPB
TO-220
IRF510PbF
SiHF510-E3
IRF510
SiHF510
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃,除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
能源
b
V
GS
在10 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
100
± 20
5.6
4.0
20
0.29
100
5.6
4.3
43
5.5
- 55〜 + 175
300
d
10
1.1
W / ℃,
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩
重复性雪崩电流
a
重复性雪崩能量
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议(峰值温度)
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度(参见图11)。
B 。 V
DD
= 25 V ,起始物为
J
= 25 ° C,L = 4.8 mH的,R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 5.6 A(见图12 ) 。
C.我
SD
5.6 A, di / dt的
75 A / μs的,V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
ð 。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求,可申请豁免
文档编号: 91015
S- 81377 -REV 。 A, 30军08
www.vishay.com
1