H11D1/H11D2/H11D3/H11D4
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
与基地连接，高BV
CER
电压
电气特性的影响
参数
输入
正向电压
反向电压
反向电流
电容
热阻
产量
H11D1
集电极发射极击穿电压
I
CE
= 1毫安，R
BE
= 1 MΩ
H11D2
H11D3
H11D4
发射极基极击穿电压
集电极 - 发射极电容
集电极电容基地
发射基地电容
热阻
耦合器
耦合电容
电流传输比
集电极 - 发射极，
饱和电压
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
R
BE
= 1 MΩ
I
F
= 10 mA时，我
C
= 0.5毫安，
R
BE
= 1 MΩ
V
CE
= 200 V ，R
BE
= 1 MΩ
集电极 - 发射极漏电流
V
CE
= 300 V ，R
BE
= 1 MΩ,
T
AMB
= 100 °C
H11D1
H11D2
H11D1
H11D2
C
C
I
C
/I
F
V
CESAT
I
CER
I
CER
I
CER
I
CER
20
0.25
0.4
100
100
250
250
0.6
pF
%
V
nA
nA
µA
µA
I
EB
= 100 µA
V
CE
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
EB
= 5 V ， F = 1兆赫
BV
CER
BV
CER
BV
CER
BV
CER
BV
EBO
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
300
300
200
200
7
7
8
38
250
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
K / W
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 µA
V
R
= 6 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
V
R
I
R
C
O
R
thJA
6
0.01
25
750
10
1.1
1.5
V
V
µA
pF
K / W
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小和最大值被测试requierements 。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评估。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
R
BE
= 1 MΩ
部分
符号
CTR
分钟。
20
典型值。
马克斯。
单位
%
开关特性
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF时间
下降时间
测试条件
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
I
C
= 2 MA（由我改变调整
F
),
R
L
= 100
Ω,
V
CC
= 10 V
符号
t
on
t
r
t
关闭
t
f
分钟。
典型值。
5
2.5
6
5.5
马克斯。
单位
µs
µs
µs
µs
记
开关时间的测量测试电路和波形
文档编号： 83611
修订版1.5 ， 19 -NOV- 07
如有技术问题，请联系： optocouplers.answers@vishay.com
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
