ES3A通ES3D
威世通用半导体
100
50
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
结电容（pF ）
40
10
T
J
= 125 °C
30
1
T
J
= 100 °C
20
0.1
T
J
= 25 °C
10
0.01
0.1
0
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
10 000
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 150 °C
1000
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
100
10
1
T
J
= 25 °C
0.1
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AB （ SMC）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.185 （ 4.69 ）最大。
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.246 (6.22)
0.220 (5.59)
0.126 （ 3.20 ）最低。
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
0.060 （ 1.52 ）最低。
0.320 REF 。
文档编号： 88589
修订： 27 - 8 - 07
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
