ES1A通ES1D
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
最大DC反向电流在额定
阻断电压DC
最大反向恢复时间
最大反向恢复时间
最大存储电荷
典型结电容
I
F
= 0.6 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，我
rr
=10 % I
RM
I
F
= 0.6 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，我
rr
=10 % I
RM
4.0 V， 1 MHz的
测试条件
I
F
= 0.6 A
(1)
I
F
= 1.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，L
rr
= 0.25 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
符号
V
F
I
R
t
rr
t
rr
Q
rr
C
J
价值
0.865
0.920
5.0
100
15
25
35
10
25
10
单位
V
µA
ns
ns
nC
pF
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
符号
R
θJA
R
θJL
ES1A
ES1B
85
35
ES1C
ES1D
单位
° C / W
注意：
安装在P.C.B. （ 1）单位5.0 ×5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积
订购信息
（例）
首选的P / N
ES1D-E3/61T
ES1D-E3/5AT
ES1DHE3/61T
(1)
ES1DHE3/5AT
(1)
单位重量（g ）
0.064
0.064
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
61T
5AT
基地数量
1800
7500
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
注意：
（ 1 ）汽车级AEC- Q101标准
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.2
30
正向平均整流电流（ A）
1.0
峰值正向浪涌电流（ A）
8.3
毫秒单一正弦半波
25
0.8
20
0.6
15
0.4
负载电阻或电感
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
80
90
100
110
120
130
140
150
10
0.2
5
0
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.最大正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
文档编号： 88586
修订： 27 - 8 - 08
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