ES1A通ES1D
威世通用半导体
100
14
12
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
结电容（pF ）
1.2
1.4
10
8
6
4
2
0
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
1000
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 150 °C
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
10
安装在0.2× 0.2" （ 5 ×7 MM）
铜焊盘区
10
1
T
J
= 25 °C
0.1
0
20
40
60
80
100
1
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向漏电特性
图6.典型热阻
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
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652
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文档编号： 88586
修订： 27 - 8 - 08
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