DG508A_MIL/509A_MIL
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
P
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I–
V
EN
= 0 V或2.4 V
房间
房间
–1.5
1.3
–0.7
2.4
mA
后缀
-55到125°C
符号
S B升
V+ = 15 V, V– = –15 V
V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度
b
T
民
d
典型值
c
最大
d
U I
单位
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
Ç 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
ð 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
Ë 。通过设计保证，不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
r
DS （ ON）
与V
D
和电源
"5
V
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
500
2.0
400
"7.5
V
1.5
"10
V
"15
V
"20
V
100
0.5
V T（ V）
300
2.5
输入开关阈值与V +和V-
电源电压
200
1.0
0
–20
0
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
”5
”10
”15
”20
V
D
- 漏极电压（ V）
V + ， V-正负电源（ V）
500
R DS（ON ）漏源导通电阻（
W
)
–
450
400
350
300
250
25_C
200
150
100
50
0
–15
–10
–5
0
5
V
D
- 漏极电压（ V）
10
15
–55_C
125_C
16
14
12
10
Q（ PC）
8
6
4
2
0
–15
电荷注入与模拟电压（V
S
)
V+ = 15 V
V– = –15 V
r
DS （ ON）
与V
D
和温度
V+ = 15 V
V– = –15 V
–10
–5
0
5
V
S
- 源极电压（ V）
10
15
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S
FaxBack 408-970-5600
5-4
文档编号： 70067
S- 00405 -REV 。 C， 21 -FEB- 00
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