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DG419DY-T1-E3 参数 Datasheet PDF下载

DG419DY-T1-E3图片预览
型号: DG419DY-T1-E3
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内容描述: 精密CMOS模拟开关 [Precision CMOS Analog Switches]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 11 页 / 148 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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DG417/418/419
Vishay Siliconix公司
应用
微功率UPS转换开关
当V
CC
下降到3.3 V时, DG417改变状态,
关闭SW
1
和连接所述备用电池,如图
图10. ð
1
防止电流泄漏的背面朝向
其余的电路。消耗电流通过CMOS模拟
开关大约100 pA的;这保证了大部分功率
可被施加到所述存储器,它是真正需要的。
在待机模式中,数百A的是足以保持
内存数据。
当5 V电源恢复时,该电阻分压器
感测的至少3.5 V的存在,并且使新的
状态变化的模拟开关,恢复正常
操作。
可编程增益放大器
的DG419 ,如图11 ,可以实现精确的增益
选择在一个小包装。切换到虚拟地
减少因用r失真
DS ( ON)
变化的一个函数
模拟信号的幅度。
砷化镓FET驱动器
的DG419 ,如图在图12中可被用作在一个GaAs
FET驱动器。它转换为TTL控制信号转换成 - 8 V , 0 V
电平输出,以驱动栅极。
D
1
V
CC
(5 V)
R
1
V
SENSE
453 kΩ
内存
D
V+
SW
1
V
L
S
+
3 V锂电池
V-
DG417
IN
R
2
383 kΩ
GND
图11. UPS微电路
+5V
DG419
S
1
S
2
IN
D
R
1
V
L
R
2
S
1
S
2
D
V
OUT
V+
砷化镓场效应管
5V
V
IN
-
V
OUT
+
GND
DG419
V-
-8V
图12.可编程增益放大器
图13.砷化镓FET驱动器
日前,Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅可靠性数据
技术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件,如包/带图纸,零件标记,并
可靠性数据,请参见
http://www.vishay.com/ppg?70051 。
www.vishay.com
10
文档编号: 70051
S- 71241 -REV 。女,25军, 07