DG411 ， DG412 ， DG413
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
（对于单极性电源）
参数
模拟开关
V
类似物
模拟信号范围
e
漏源
R
DS （ ON）
导通电阻
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
延时
电荷注入
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
V + = 13.5 V, V
IN
= 0 V或5 V
I
L
I
GND
房间
热
房间
热
房间
热
房间
热
0.0001
- 0.0001
0.0001
- 0.0001
-1
-5
-1
-5
1
5
-5
1
5
-1
-5
1
5
1
5
µA
t
ON
t
关闭
t
D
Q
满
V + = 10.8 V,
I
S
= - 10毫安，V
D
=
3
V, 8 V
房间
满
房间
热
房间
热
房间
房间
40
12
80
100
250
400
125
140
12
80
100
250
315
125
140
V
符号
测试条件
除非指定
V + = 12 V, V - = 0 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
典型值。
c
后缀
- 55 ° C至125°C
分钟。
d
ð后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
单位
马克斯。
d
马克斯。
d
175
95
25
25
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
S
=
8
V，见图2
DG413只，V
S
= 8 V
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的
V
g
= 6 V ，R
g
= 0
,
C
L
- 10 nF的
ns
pC
注意事项：
答。请参阅处理方案流程图。
b.Room = 25°C ，完全=由操作温度决定的后缀。
Ç 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
d.The代数惯例，由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
设计e.Guaranteed ，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
50
300
T
A
= 25 °C
±5
V
250
V+ = 3 V
V
L
= 3 V
V
L
= 5 V
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻（ Ω ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
- 20
±
8V
± 10
V
± 15
V
± 12
V
200
150
V
V+ = 5 V
100
± 20
V
50
8V
12 V
15 V
20 V
0
- 15
- 10
-5
0
5
10
15
20
0
2
4
V
D
- 排水
V
oltage （ V）
6
8
10 12 14
V
D
- 漏极电压（ V）
16
18
20
导通电阻与V
D
与电源电压
导通电阻与V
D
与单极性电源电压
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4
文档编号： 70050
S11-1185 -REV 。 G， 13军， 11
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