DG401 ， DG403 ， DG405
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非指定
V+ = 15 V, V- = - 15 V
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
Δ
漏源
导通电阻
符号
V
类似物
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
I
S（ OFF）
关机漏电流
I
D（关闭）
通道泄漏电流
数字控制
输入电流V
IN
低
输入电流V
IN
高
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
突破前先
时间延迟（ DG403 ）
电荷注入
关断隔离拒绝率
通道到通道的串扰
源关断电容
流掉电容
通道导通电容
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
地电流
I+
I-
I
L
I
GND
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
IN
= 0或5伏
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
0.01
- 0.01
0.01
- 0.01
-1
-5
-1
-5
1
5
1
5
µA
t
ON
t
关闭
t
D
Q
OIRR
X
TALK
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D
, C
秒（上）
F = 1MHz时， V
S
= 0 V
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
见图2
R
L
= 300
Ω,
C
L
= 35 pF的
C
L
- 10 nF的
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
Ω
R
L
= 100
Ω,
C
L
= 5 pF的
F = 1 MHz的
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
75
30
35
60
72
90
12
12
39
pF
5
pC
dB
150
100
ns
I
IL
I
IH
V
IN
根据测试= 0.8 V
所有其他= 2.4 V
V
IN
根据测试= 2.4 V
所有其他= 0.8 V
满
满
0.005
0.005
-1
-1
1
µA
1
I
D（上）
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
10 V
V+ = 13.5 V, V- = - 13.5 V
I
S
= - 10毫安，V
D
=
±
5 V, 0 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
D
=
±
15.5 V, V
S
=
±
15.5 V
V+ = 16.5 V, V- = - 16.5 V
V
S
= V
D
=
±
15.5 V
V
L
= 5 V, V
IN
= 2.4 V, 0.8 V
f
温度。
b
满
房间
满
房间
满
房间
热
房间
热
房间
热
30
3
- 0.01
- 0.01
- 0.04
- 0.5
-5
- 0.5
-5
-1
- 10
典型值。
c
ð后缀
- 40 ° C至85°C
分钟。
d
- 15
马克斯。
d
15
45
55
3
5
0.5
5
0.5
5
1
10
单位
V
Ω
nA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25 ° C，完全=由操作温度决定的后缀。
Ç 。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
ð 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于在数据资料。
Ë 。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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4
文档编号： 70049
S09-2561 -REV 。我， 11月30日 - 09
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
