CNY17F
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
没有基连接
40
(T
A
= 25°C ）I
C
= F（V
CE
)
I
F
= 14毫安
20
1.0
0.9
V
CESAT
= F（我
C
) (T
A
= 25 °C)
I
F
= 3 ×1
C
0.8
0.7
0.6
30
I
C
（MA ）
V
CE坐
15
I
F
= 12毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 7毫安
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1
10
100
10
I
F
= 1毫安
0
0
icny17f_09
I
F
= 5毫安
I
F
= 2毫安
10
5
V
CE
(V)
icny17f_12
I
C
（MA ）
图。 9 - 输出特性CNY17F - 2 ， -3
图。 12 - 饱和电压与
集电极电流和调制深度CNY17F - 1
1.2
V
F
= F（我
F
)
25 °C
50 °C
75 °C
1.0
0.9
0.8
0.7
V
CESAT
= F（我
C
) (T
A
= 25 °C)
V
CE坐
(V)
1.1
V
F
(V)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I
F
= 2×我
C
I
F
= 3 ×1
C
1.0
0.9
0.1
icny17f_10
0
1
10
100
icny17f_13
1
10
100
I
F
（MA ）
图。 10 - 正向电压
I
C
（MA ）
图。 13 - 饱和电压与
集电极电流和调制深度CNY17F - 2
1
V
CE
= 35
V
I
首席执行官
= F （V ， T）
(T
A
= 75 ° C，I
F
= 0)
1.0
0.9
0.8
0.7
V
CESAT
= F（我
C
) (T
A
= 25 °C)
I
F
= I
C
I
首席执行官
(µA)
V
CE坐
(V)
0.1
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I
F
= 2×我
C
I
F
= 3 ×1
C
1
10
0.01
V
CE
= 12
V
0.001
0
icny17f_11
0
25
50
75
100
100
T
A
(°C)
icny17f_14
I
C
（MA ）
图。 11 - 集电极发射极截止电流
图。 14 - 饱和电压与
集电极电流和调制深度CNY17F - 3
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226
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文档编号： 83607
修订版1.5 ， 07- 08年5月
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