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CNY17-3 参数 Datasheet PDF下载

CNY17-3图片预览
型号: CNY17-3
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内容描述: 光电耦合器,光电晶体管输出,带底座的连接 [Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection]
分类和应用: 晶体光电晶体管光电晶体管输出元件
文件页数/大小: 10 页 / 193 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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CNY17
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
目前储备
电容
热阻
测试条件
I
F
= 60毫安
I
R
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V , F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
R
th
6.0
0.01
25
750
10
典型值。
1.25
最大
1.65
单位
V
V
µA
pF
K / W
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
V
CB
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
V
EB
= 5.0 V , F = 1.0 MHz的
符号
C
CE
C
CB
C
EB
R
th
典型值。
5.2
6.5
7.5
500
最大
单位
pF
pF
pF
K / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
集电极 - 射极漏泄
当前
V
CE
= 10 V,I
首席执行官
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
测试条件
V
F
= 10 mA时,我
C
= 2.5毫安
部分
符号
V
CESAT
C
C
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
典型值。
0.25
0.6
2.0
2.0
5.0
5.0
50
50
100
100
最大
0.4
单位
V
pF
nA
nA
nA
nA
电流传输比
受短线数字电流传输比和集电极 - 发射极漏电流(T
AMB
°C)
参数
I
C
/I
F
测试条件
I
F
= 10 mA时, V
CE
= 5.0 V
部分
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
I
F
= 1.0毫安, V
CE
= 5.0 V
CNY17-1
CNY17-2
CNY17-3
CNY17-4
符号
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
CTR
40
63
100
160
13
22
34
56
30
45
70
90
典型值。
最大
80
125
200
320
单位
%
%
%
%
%
%
%
%
文档编号83606
修订版1.5 , 10月26日04
www.vishay.com
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