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    BZX85C12 参数 Datasheet PDF下载

    BZX85C12图片预览
    型号： BZX85C12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅外延平面的Z-二极管 [Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes]
    分类和应用： 二极管测试
    文件页数/大小： 5 页 / 62 K
    品牌： VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
     浏览型号BZX85C12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BZX85C12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BZX85C12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BZX85C12的Datasheet PDF文件第5页  
    BZX85C...
    威世德律风根
    特征
    (T
    j
    = 25
    _
    C除非另有说明）
    2.0
    P
    合计
    - 总功耗（ W）
    C
    D
    - 二极管电容（pF ）
    1000
    1.6
    100
    V
    R
    = 0V
    V
    R
    = 2V
    V
    R
    = 5V
    V
    R
    = 20V
    V
    R
    = 30V
    1.2
    l=4mm
    0.8
    l=20mm
    0.4
    0
    –50
    l=10mm
    10
    1
    0
    50
    100
    150
    200
    95 9616
    F = 1 MHz的
    T
    AMB
    = 25°C
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    95 9612
    T
    AMB
    - 环境温度（
    °C
    )
    V
    Z
    - z - 电压（V）
    图1.总功率耗散与环境温度
    TURE
    R
    thJA
    - 千卡。抗拒。结/环境（K / W）
    r
    Z
    - 微分Z-电阻（
    W
    )
    250
    图3.二极管电容与Z-电压
    1000
    I
    Z
    =1mA
    100
    2mA
    5mA
    10mA
    20mA
    10
    200
    150
    l
    100
    50
    0
    0
    5
    10
    15
    T
    L
    =常数
    20
    25
    30
    l
    1
    1
    95 9615
    10
    V
    Z
    - z - 电压（V）
    100
    95 9613
    L - 引线长度（mm ）
    图4.差分Z-电阻与Z-电压
    Z
    THP
    - 脉冲电导率热阻。 （K / W）
    图2.热电阻与导线长度
    1000
    t
    p
    /T=0.01
    t
    p
    /T=0.1
    100
    t
    p
    /T=0.5
    t
    p
    /T=0.2
    10
    单脉冲
    i
    ZM
    =(–V
    Z
    +(V
    Z2
    +4r
    zj
    1
    10
    –1
    10
    0
    10
    1
    t
    p
    - 脉冲宽度（毫秒）
    10
    2
    t
    p
    /T=0.05
    t
    p
    /T=0.02
    D
    T=T
    JMAX
    –T
    AMB
    R
    thJA
    =110K/W
    
    D
    T / ž
    THP
    )
    1/2
    )/(2r
    zj
    )
    10
    3
    95 9614
    图5.热响应
    文档编号85608
    第3版， 01 -APR- 99
    www.vishay.de
    •
    FaxBack + 1-408-970-5600
    3 (5)

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