BS170 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BS170
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内容描述：	DMOS晶体管（ N沟道） [DMOS Transistors (N-Channel)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 235 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

BS170

电气特性

在25 ° C环境温度，除非另有规定等级

符号

漏源击穿电压

在我

= 100

µA,

= 0

栅极阈值电压为V

= V

= 1毫安

门体漏电流

在V

= 15 V, V

= 0

排水截止电流在V

= 25 V, V

= 0

漏源导通电阻

在V

= 10 V，I

= 0.2 A

热阻结到环境空气

正向跨导

在V

= 10 V，I

= 0.2 A ， F = 1兆赫

输入电容

在V

= 10 V, V

= 0中，f = 1 MHz的

开关时间

在V

= 10 V, V

= 10 V ，R

= 100

Ω

开启时间

打开-O FF时间

分钟。

1.0

–

典型值。

–

3.5

–

200

马克斯。

–

3.0

0.5

5.0

150

–

单位

µA

Ω

K / W

（ BR ） DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

thJA

国际空间站

关闭

–

有效的条件是引线保持在环境温度下，以2毫米的情况下的距离。

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