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BPW34 参数 Datasheet PDF下载

BPW34图片预览
型号: BPW34
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内容描述: 硅PIN光电二极管 [Silicon PIN Photodiode]
分类和应用: 光电二极管光电二极管
文件页数/大小: 5 页 / 76 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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BPW34
威世德律风根
基本特征
T
AMB
= 25
_
C
参数
击穿电压
反向暗电流
二极管电容
开路电压
温度。 V系数
o
短路电流
温度。我系数
k
反向光电流
g
测试条件
I
R
= 100
m
A,E = 0
V
R
= 10 V , E = 0
V
R
= 0 V , F = 1MHz时, E = 0
V
R
= 3 V , F = 1MHz时, E = 0
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
A
= 1 KLX
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950 nm的
E
A
= 1 KLX ,V
R
= 5 V
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
l
= 950纳米,V
R
= 5 V
符号
V
( BR )
I
ro
C
D
C
D
V
o
TK
Vo
I
k
I
k
TK
Ik
I
ra
I
ra
60
典型值
2
70
25
350
–2.6
70
47
0.1
75
50
±65
900
600...1050
4x10
–14
100
100
最大
30
40
单位
V
nA
pF
pF
mV
毫伏/ K
m
A
m
A
%/K
m
A
m
A
nm
nm
W / Hz的√
ns
ns
40
半灵敏度角
峰值灵敏度的波长
光谱带宽范围
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
l
= 950 nm的
上升时间
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
下降时间
V
R
= 10 V ,R
L
= 1k
W
,
l
= 820 nm的
l
p
l
0.5
NEP
t
r
t
f
ϕ
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C除非另有说明)
I
RA相对
- 相对反向光电流
1000
I
ro
- 反向暗电流( NA)
1.4
1.2
100
l
=950nm
V
R
=5V
1.0
10
0.8
V
R
=10V
1
20
40
60
80
100
0.6
0
94 8416
20
40
60
80
100
94 8403
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
T
AMB
- 环境温度(
°C
)
图1.反向暗电流与环境温度
图2.相对反向光电流与
环境温度
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FaxBack + 1-408-970-5600
2 (5)
文档编号81521
第2版​​, 20日, 99