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    BF998R 参数 Datasheet PDF下载

    BF998R图片预览
    型号： BF998R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道双栅MOS -场效应四极管，耗尽型 [N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode]
    分类和应用： 栅
    文件页数/大小： 9 页 / 158 K
    品牌： VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
     浏览型号BF998R的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BF998R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BF998R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BF998R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BF998R的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BF998R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号BF998R的Datasheet PDF文件第8页浏览型号BF998R的Datasheet PDF文件第9页  
    BF998/BF998R/BF998RW
    威世德律风根
    绝对最大额定值
    T
    AMB
    = 25
    _
    C，除非另有规定编
    参数
    漏 - 源极电压
    漏电流
    门1 /门2 - 源电流峰值
    门1 /门2 - 源极电压
    总功耗
    通道温度
    存储温度范围
    测试条件
    符号
    价值
    V
    DS
    12
    I
    D
    30
    ±I
    G1/G2SM
    10
    ±V
    G1S/G2S
    7
    P
    合计
    200
    T
    Ch
    150
    T
    英镑
    -65到+150
    单位
    V
    mA
    mA
    V
    mW
    °
    C
    °
    C
    T
    AMB
    ≤
    60
    °
    C
    最大热阻
    T
    AMB
    = 25
    _
    C，除非另有规定编
    参数
    测试条件
    上玻璃纤维印刷电路板的信道环境（ 25×20× 1.5） mm的
    3
    镀上35
    m
    M CU
    符号
    R
    thChA
    价值
    450
    单位
    K / W
    电气直流特性
    T
    AMB
    = 25
    _
    C，除非另有规定编
    参数
    漏 - 源
    击穿电压
    1号门 - 源
    击穿电压
    2号门 - 源
    击穿电压
    1号门 - 源
    漏电流
    2号门 - 源
    漏电流
    漏电流
    测试条件
    I
    D
    = 10
    m
    A,
    –V
    G1S
    = –V
    G2S
    = 4 V
    ±I
    G1S
    = 10毫安，
    V
    G2S
    = V
    DS
    = 0
    ±I
    G2S
    = 10毫安，
    V
    G1S
    = V
    DS
    = 0
    ±V
    G1S
    = 5 V,
    V
    G2S
    = V
    DS
    = 0
    ±V
    G2S
    = 5 V,
    V
    G1S
    = V
    DS
    = 0
    V
    DS
    = 8 V, V
    G1S
    = 0,
    V
    G2S
    = 4 V
    TYPE
    符号
    V
    （ BR ） DS
    ±V
    (BR)G1SS
    ±V
    (BR)G2SS
    ±I
    G1SS
    ±I
    G2SS
    BF998/BF998R/
    BF998RW
    BF998A/BF998RA/
    BF998RAW
    BF998B/BF998RB/
    BF998RBW
    I
    DSS
    I
    DSS
    I
    DSS
    –V
    G1S(OFF)
    –V
    G2S(OFF)
    4
    4
    9.5
    1.0
    0.6
    民
    12
    7
    7
    典型值
    最大单位
    V
    14
    14
    50
    50
    18
    V
    V
    nA
    nA
    mA
    10.5毫安
    18
    2.0
    1.0
    mA
    V
    V
    1号门 - 源
    截止电压
    2号门 - 源
    截止电压
    V
    DS
    = 8 V, V
    G2S
    = 4 V,
    I
    D
    = 20
    m
    A
    V
    DS
    = 8 V, V
    G1S
    = 0,
    I
    D
    = 20
    m
    A
    www.vishay.de
    •
    FaxBack + 1-408-970-5600
    2 (9)
    文档编号85011
    第4版， 23军， 99

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