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BF998 参数 Datasheet PDF下载

BF998图片预览
型号: BF998
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内容描述: N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型 [N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 158 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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BF998/BF998R/BF998RW
威世德律风根
10
F = 800MHz的
- 传感器增益(dB )
0
–10
–20
–0.2V
–30
–0.4V
–40
–50
–1
12818
4V
3V
2V
1V
0
IM( Y) (MS )
21
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
–30
–35
–40
1300MHz
0
12821
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=100...1300MHz
I
D
=5mA
10mA
20mA
f=100MHz
400MHz
700MHz
1000MHz
S
21
2
V
G2S
=–0.8V
–0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
4
8
12
16
20
24
28
32
V
G1S
- 1号门源极电压( V)
回复(Y
21
) (女士)
图7.传感器增益与1号门源电压
y
21s
- 正向纳(MS )
32
28
24
20
16
12
8
4
0
0
0
12819
图10.短路正向转移导纳
9
V
DS
=8V
f=1MHz
V
G2S
=4V
3V
IM( Y) (MS )
22
8
7
6
5
4
3
2
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
400MHz
100MHz
0
0.25
0.50
0.75
V
DS
=15V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
1.00
1.25
1.50
2V
1V
1
0
20
24
28
12822
4
8
12
16
I
D
- 漏电流(mA )
回复(Y
22
) (女士)
图8.正向纳主场迎战漏电流
20
18
16
14
IM( Y) (MS )
11
12
10
8
6
4
2
0
0
12820
图11.短路输出导纳
f=1300MHz
1000MHz
700MHz
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
I
D
=10mA
f=100...1300MHz
6
8
10
12
14
400MHz
100MHz
2
4
回复(Y
11
) (女士)
图9.短路输入导纳
文档编号85011
第4版, 23军, 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
5 (9)