BAV100 ， BAV101 ， BAV102 ， BAV103
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结铅
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
符号
R
thJL
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
350
500
175
- 65〜 + 175
单位
K / W
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 100毫安
V
R
= 50 V
V
R
= 100 V
V
R
= 150 V
反向电流
V
R
= 200 V
T
j
= 100℃ ，V
R
= 50 V
T
j
= 100℃ ，V
R
= 100 V
T
j
= 100℃ ，V
R
= 150 V
T
j
= 100℃ ，V
R
= 200 V
I
R
= 100 μA ，T
p
/T = 0.01,
t
p
〜 0.3毫秒
击穿电压
I
R
= 100 μA ，T
p
/T = 0.01,
t
p
〜 0.3毫秒
I
R
= 100 μA ，T
p
/T = 0.01,
t
p
〜 0.3毫秒
二极管电容
微分正向电阻
反向恢复时间
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
I
F
= 10毫安
I
F
= I
R
= 30 mA时，我
R
= 3毫安，
R
L
= 100
Ω
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
BAV100
BAV101
BAV102
BAV103
部分
符号
V
F
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
I
R
V
（ BR ）
V
（ BR ）
V
（ BR ）
V
（ BR ）
C
D
r
f
t
rr
60
120
200
250
1.5
5
50
分钟。
典型值。
马克斯。
1000
100
100
100
100
15
15
15
15
单位
mV
nA
nA
nA
nA
µA
µA
µA
µA
V
V
V
V
pF
Ω
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
100
散射极限
10
1000
T
j
= 25 °C
I
R
- 反向电流（ μA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
散射极限
10
1
V
R
=
V
RRM
0.1
0.01
0
40
80
120
1
0.1
160
200
94 9085
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
94 9084
T
j
- 结温（ ° C）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.反向电流与结温
图2.正向电流与正向电压
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：文档编号85542
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.7 ， 01 09月10
VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
