6N138/6N139
高速光耦， 100 kBd的，
威世半导体
低输入电流，光电二极管达林顿
产量
共模瞬态抗扰度
参数
共模瞬变
免疫力，逻辑高电平
产量
(1)(2)
共模瞬变
免疫，逻辑低电平
产量
(1)(2)
测试条件
I
F
= 0 mA时，R
L
= 2.2 kΩ,
R
CC
= 0, |V
CM
| = 10 V
P-P
I
F
= 0 mA时，R
L
= 2.2 kΩ,
R
CC
= 0, |V
CM
| = 10 V
P-P
部分
符号
|厘米
H
|
分钟。
典型值。
500
马克斯。
单位
V / μs的
|厘米
L
|
- 500
V / μs的
笔记
(1)
在逻辑高电平共模瞬态抗扰度是最大信号容忍的（正） dVcm / DT上的共模前缘
脉冲，V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（即V
O
> 2.0 V）在逻辑低电平的共模瞬态抗扰度是
最大容许（负） dVcm / dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
以保证该输出将保持
在逻辑低状态（即V
O
< 0.8V） 。
(2)
在应用中的dV / dt可能超过50 000 V / μs的（如国家排放）的串联电阻，R
CC
应列入保护我
C
从
破坏性的高浪涌电流。该建议的价值为R
CC
≅ [(1
V） / （ 0.15我
F
（毫安） KΩ
包装尺寸
以英寸（毫米）
引脚1号
4
0.255 (6.48)
0.268 (6.81)
5
6
7
8
ISO方法A
3
2
1
0.379 (9.63)
0.390 (9.91)
0.030 (0.76)
0.045 (1.14)
4℃典型值。
0.130 (3.30)
0.150 (3.81)
0.050 (1.27)
0.020 (0.51)
0.018 (0.46)
0.022 (0.56)
i178006
0.031 (0.79)
0.300 (7.62)
典型值。
10°
0.035 (0.89)
0.100 （ 2.54 ） TYP 。
3 ° 〜9 °
0.008 (0.20)
0.012 (0.30)
0.230 (5.84)
0.110 (2.79)
0.130 (3.30)
0.250 (6.35)
选7
0.300 (7.62)
典型值。
选择9
0.375 (9.53)
0.395 (10.03)
0.300 (7.62)
REF 。
0.028 (0.7)
0.180 (4.6)
0.160 (4.1)
0.315 (8.0)
分钟。
0.331 (8.4)
分钟。
0.406 (10.3)
马克斯。
0.0040 (0.102)
0.0098 (0.249)
0.020 (0.51)
0.040 (1.02)
0.315 (8.00)
分钟。
0.012 （ 0.30 ）典型值。
15˚最大。
18494
文档编号： 83605
修订版1.5 ， 07- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
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187
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