6N138/ 6N139
威世半导体
电流传输比
参数
电流传输比
5), 6)
电流传输比
测试条件
I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 0.5毫安， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 1.6毫安， V
O
= 0.4 V,
V
CC
= 4.5 V
5)
6)
部分
6N138
6N139
6N139
符号
CTR
CTR
CTR
民
300
400
500
典型值。
1600
1600
2000
最大
单位
%
%
%
直流电流传输比被定义为输出集电极电流的比率，我
O
到正向LED的输入电流，我
F
乘以100 ％。
脚7开
开关特性
参数
传播延迟时间的逻辑
在低输出
传播延迟时间的逻辑
在低输出
6) , 8)
测试条件
I
F
= 1.6毫安，R
L
= 2.2 kΩ
I
F
= 0.5毫安，R
L
= 4.7 kΩ
I
F
= 12毫安，R
L
= 270
Ω
部分
6N138
6N139
6N139
6N138
6N139
6N139
符号
t
PHL
t
PHL
t
PHL
t
PLH
t
PLH
t
PLH
民
典型值。
2.0
6.0
0.6
2.0
4.0
1.5
最大
10
25
1.0
35
60
7.0
单位
µs
µs
µs
µs
µs
µs
传播延迟时间的逻辑
在高输出
传播延迟时间的逻辑
在高输出
6)
8)
6) , 8)
I
F
= 1.6毫安，R
L
= 2.2 kΩ
I
F
= 0.5毫安，R
L
= 4.7 kΩ
I
F
= 12毫安，R
L
= 270
Ω
脚7开
使用引脚5到7之间的电阻会降低增益和延迟时间。
共模瞬态抗扰度
参数
测试条件
符号
|厘米
H
|
民
典型值。
500
最大
单位
V / μs的
I
F
= 0 mA时，R
L
= 2.2千欧，R
CC
= 0,
共模瞬变
免疫力，逻辑高电平输出| V
CM
| = 10 V
P-P
9) , 10)
共模瞬变
免疫力，逻辑低电平输出
9) , 10)
9)
I
F
= 1.6毫安，R
L
= 2.2 kΩ,
R
CC
= 0, |V
CM
| = 10 V
P-P
|厘米
L
|
- 500
V / μs的
在逻辑高电平共模瞬态抗扰度是最大容许（正） dVcm / DT上的共同前缘
脉冲模式下，V
CM
，以保证该输出将保持在逻辑高状态（即V
O
> 2.0 V）在逻辑低共模瞬态抗扰度
电平是最大容许（负） dVcm / dt的对共模脉冲信号V的后缘
CM
以保证输出
将保持在逻辑低状态（即V
O
< 0.8V） 。
10)
在应用中的dv / dt可能超过50000 V / μs的（如国家排放）的串联电阻，R
CC
应列入保护我
C
从破坏性高浪涌currents.The推荐值为R
CC
≅[(1
V） / （ 0.15我
F
（毫安） KΩ
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4
文档编号83605
修订版1.5 ， 10月26日04
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