6N135/6N136
高速光耦， 1万桶，
Phtotdiode与晶体管输出
绝对最大额定值
参数
耦合器
隔离测试电压（间
每个发射器和探测器的气候
根据DIN 50014第2部分11月74）
污染等级（ DIN VDE 0109 ）
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
焊接温度
(2)
马克斯。
≤
10秒，浸焊
≥
0.5毫米从外壳底部
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
SLD
T = 1.0秒
V
ISO
5300
2.0
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
V
RMS
(1)
威世半导体
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定。超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。
该设备的功能操作不是在这些或任何其他条件超出那些在这个业务部门给出的暗示
文档。暴露在绝对最大额定值的时间过长可能产生不利影响的可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件（ SMD ）焊接条件。请参阅波曲线为通过焊接条件
孔器件（ DIP ） 。
电气特性
(1)
参数
输入
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
温度系数，向前
电压
产量
逻辑低电源电流
逻辑高电平电源电流
I
F
= 1.6毫安， V
O
=开，
V
CC
= 15 V
I
F
= 0 mA时，V
O
=开，
V
CC
= 15 V
I
F
= 16 mA时，我
O
= 1.1毫安，
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 16 mA时，我
O
= 2.4毫安，
V
CC
= 4.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 5.5 V
I
F
= 0 mA时，V
O
= V
CC
= 15 V
F = 1.0 MHz的
6N135
6N136
I
CCL
I
CCH
V
OL
V
OL
I
OH
I
OH
C
IO
150
0.01
0.1
0.1
3.0
0.01
0.6
1
0.4
0.4
500
1
µA
µA
V
V
nA
µA
pF
I
F
= 1.6毫安
I
R
= 10 µA
V
R
= 5.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
I
F
= 1.6毫安
V
F
V
BR
I
R
C
O
ΔV
F
/ΔT
A
5.0
0.5
125
- 1.7
10
1.6
1.9
V
V
µA
pF
毫伏/°C的
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出电压时，输出低
输出电流，输出高
耦合器
电容（输入输出）
记
T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定。最小值和最大值的测试要求。典型值是特征
设备，并且工程评价的结果。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
文档编号： 83604
修订版1.5 ， 07- 08年5月
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
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VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
