4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
≤
10
µs
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
2.5
100
单位
V
mA
A
mW
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极电流
(t
≤
1.0毫秒)
功耗
测试条件
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
绝缘测试电压
爬电距离
净空
间隔离厚度
发射器和检测器
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDE0303 ,第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ,T
AMB
= 100 °C
储存温度
工作温度
结温
焊接温度
最大。 10秒浸焊:
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
175
10
12
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
mm
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2
文档编号83717
修订版1.5 27 -JAN- 05