4N35 参数 Datasheet PDF下载

型号：	4N35
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内容描述：	光电耦合器，光电晶体管输出，带底座的连接 [Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection]
分类和应用：	晶体光电晶体管光电晶体管输出元件
文件页数/大小：	9 页 / 158 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38

威世半导体

绝对最大额定值

AMB

= 25℃，除非另有说明

超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作

在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对

最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。

输入

参数

反向电压

正向电流

浪涌电流

功耗

≤

µs

测试条件

符号

FSM

DISS

价值

6.0

2.5

100

单位

产量

参数

集电极 - 发射极击穿

电压

发射极 - 基极击穿

电压

集电极电流

≤

1.0毫秒）

功耗

测试条件

符号

首席执行官

EBO

DISS

价值

7.0

100

150

单位

耦合器

参数

绝缘测试电压

爬电距离

净空

间隔离厚度

发射器和检测器

每漏电起痕指数

DIN IEC 112 / VDE0303 ，第1部分

绝缘电阻

= 500 V ，T

AMB

= 25 °C

= 500 V ，T

AMB

= 100 °C

储存温度

工作温度

结温

焊接温度

最大。 10秒浸焊：

距离飞机座位

≥

1.5 mm

英镑

AMB

SLD

测试条件

符号

ISO

价值

5300

≥

7.0

≥

7.0

≥

0.4

175

- 55至+ 150

- 55至+ 100

100

260

Ω

°C

单位

RMS

www.vishay.com

文档编号83717

修订版1.5 27 -JAN- 05

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