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4N35 参数 Datasheet PDF下载

4N35图片预览
型号: 4N35
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内容描述: 光电耦合器,光电晶体管输出,带底座的连接 [Optocoupler, Phototransistor Output, With Base Connection]
分类和应用: 晶体光电晶体管光电晶体管输出元件
文件页数/大小: 9 页 / 158 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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4N35/ 4N36/ 4N37/ 4N38
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息,不属于测试要求的一部分。
输入
参数
前锋
电压
1)
测试条件
I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安,T
AMB
= - 55 °C
反向电流
1)
电容
1)
符号
V
F
V
F
I
R
C
O
0.9
典型值。
1.3
1.3
0.1
25
最大
1.5
1.7
10
单位
V
V
µA
pF
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0中,f = 1.0兆赫
表示JEDEC注册的值
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
1)
测试条件
I
C
= 1.0毫安
部分
4N35
4N36
4N37
4N38
符号
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
30
30
30
80
7.0
70
70
70
80
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
发射极 - 集电极击穿
电压
1)
集电极 - 基极击穿
电压
1)
I
E
= 100
µA
I
C
= 100
µA,
I
B
= 1.0
µA
4N35
4N36
4N37
4N38
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
BV
CBO
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
I
首席执行官
C
CE
集电极 - 射极漏泄
当前
1)
V
CE
= 10 V,I
F
= 0
4N35
4N36
5.0
5.0
5.0
50
50
50
50
500
500
500
nA
nA
nA
nA
µA
µA
µA
µA
pF
V
CE
= 10 V,I
F
=0
V
CE
= 60 V,I
F
= 0
V
CE
= 30 V,I
F
= 0, T
AMB
=
100 °C
4N37
4N38
4N35
4N36
4N37
V
CE
= 60 V,I
F
= 0, T
AMB
=
100 °C
集电极 - 发射极电容
1)
4N38
6.0
6.0
V
CE
= 0
表示JEDEC注册的值
耦合器
参数
电阻,输入到输出
1)
电容(输入输出)
1)
测试条件
V
IO
= 500 V
F = 1.0 MHz的
符号
R
IO
C
IO
10
11
典型值。
0.5
最大
单位
pF
表示JEDEC注册的值
文档编号83717
修订版1.5 27 -JAN- 05
www.vishay.com
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