4N32/4N33
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出，
高增益，与基地连接
绝对最大额定值
参数
耦合器
总功耗
线性降额
绝缘测试电压
泄漏通道
气路
绝缘电阻
储存温度
工作温度
铅焊接时间
(2)
(1)
测试条件
符号
P
合计
V
ISO
价值
250
3.3
5300
7.0
7.0
单位
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm最小。
mm最小。
Ω
Ω
°C
°C
s
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 125
- 55至+ 100
10
在260℃下
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅波资料为通孔器件焊接条件。
电气特性
(1)
参数
输入
正向电压
反向电流
电容
产量
集电极发射极击穿电压
(2)
集电极基极击穿
发射极基极击穿
电压
(2)
电压
(2)
I
C
= 100 ¼A ，我
F
= 0
I
C
= 100 ¼A ，我
F
= 0
I
C
= 100 ¼A ，我
F
= 0
I
C
= 100 ¼A ，我
F
= 0
V
CE
= 10 V，I
F
= 0
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
BV
ECO
I
首席执行官
V
CESAT
30
50
8
5
10
1.0
1.0
1.5
100
V
V
V
V
nA
V
pF
I
F
= 50毫安
V
R
= 3.0 V
V
R
= 0 V
V
F
I
R
C
O
1.25
0.1
25
1.5
100
V
µA
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极发射极击穿电压
(2)
集电极 - 发射极漏电流
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
耦合电容
(1)
笔记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
(2)
表示JEDEC注册的值。
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
V
CE
= 10 V，I
F
= 10毫安
符号
CTR
分钟。
500
典型值。
马克斯。
单位
%
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
CC
= 10 V，I
C
= 50毫安
I
F
= 200毫安，R
L
= 180
Ω
符号
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
马克斯。
5.0
100
单位
µs
µs
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148
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83736
修订版1.5 ， 07- 08年5月
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