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2N7000 参数 Datasheet PDF下载

2N7000图片预览
型号: 2N7000
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内容描述: N通道60 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 60-V (D-S) MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
文件页数/大小: 5 页 / 53 K
品牌: VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]
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2N7000 / 2N7002 , VQ1000J / P , BS170
Vishay Siliconix公司
典型特征(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
源极 - 漏极二极管正向电压
1.000
6
导通电阻与栅极至源极电压
5
T
J
= 125_C
I
S
- 源电流( A)
0.100
r
DS ( ON)
- 导通电阻(
Ω )
I
D
= 50毫安
4
500毫安
3
T
J
= 25_C
0.010
2
1
0.001
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
SD
- 源极到漏极电压(V )
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
阈值电压
0.50
I
D
= 250
mA
0.25
V
GS ( TH)
- 方差( V)
–0.00
–0.25
–0.50
–0.75
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
标准化的有效瞬态热阻抗,结到环境( TO- 226AA , BS170只)
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
注意事项:
P
DM
0.01
单脉冲
0.01
0.1
1
10
100
2.每单位基础= R
thJA
= 156_C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
1K
10 K
t
1
- 方波脉冲持续时间(秒)
文档编号: 70226
S- 04279 -REV 。女, 16月, 01
www.vishay.com
11-5