2N4403 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N4403
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内容描述：	小信号晶体管（ PNP ） [SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)]
分类和应用：	晶体晶体管开关
文件页数/大小：	3 页 / 101 K
品牌：	VISHAY [ VISHAY TELEFUNKEN ]

2N4403

电气特性

在25 ° C环境温度，除非另有规定等级

符号

分钟。

的.max 。

单位

集电极 - 基极击穿电压

日易迪

= 0.1毫安，我

= 0

集电极 - 发射极击穿电压

(1)

日易迪

= 1毫安，我

= 0

发射极 - 基极击穿电压

日易迪

= 0.1毫安，我

= 0

集电极 - 发射极饱和电压

(1)

日易迪

= 150毫安， -I

= 15毫安

日易迪

= 500毫安，二

= 50毫安

基射极饱和电压

(1)

日易迪

= 150毫安， -I

= 15毫安

日易迪

= 500毫安，二

= 50毫安

收藏家Cuto FF电流

在DV

= 0.4 V, ÐV

= 35 V

基地截止电流

在DV

= 0.4 V, ÐV

= 35 V

直流电流增益

在DV

= 1 V ， -I

- 0.1毫安

在DV

= 1 V ， -I

= 1毫安

在DV

= 1 V ， -I

= 10毫安

在DV

= 2 V ，二

= 150毫安

(1)

在DV

= 2 V ，二

= 500毫安

(1)

输入阻抗

在DV

= 10 V ，二

= 1毫安， F = 1的kH

电压反馈比例

在DV

= 10 V ，二

= 1毫安， F = 1的kH

电流增益带宽积

在DV

= 10 V ，二

= 20 mA时， F = 100 MH

集电极 - 基极电容

在DV

= 10 V，I

= 0中，f = 1.0 MH

发射极 - 基极电容

在DV

= 0.5 V，I

= 0中，f = 1.0 MH

笔记

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度300毫秒² - 占空比² 2 ％

ÐV

（ BR ） CBO

伏

ÐV

（ BR ） CEO

ÐV

（ BR ） EBO

5.0

伏

ÐV

CESAT

ÐV

CESAT

0.40

0.75

伏

ÐV

BESAT

ÐV

BESAT

ÐI

CEX

ÐI

BEV

0.75

0.95

1.30

100

伏

100

1.5

Ð4

300

Ð4

0.1 á 10

200

8 á 10

8.5

兆赫

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