1N5820 1N5822直通
威世通用半导体
1000
100
瞬态热阻抗( ℃/ W)
100
结电容(pF )
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
10
100
1
10
0.1
1
10
0.1
0
0.1
1
10
100
反向电压( V)
吨 - 脉冲持续时间( S)
图。 5 - 典型结电容
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
包装外形尺寸
以英寸(毫米)
DO-201AD
1.0 (25.4)
分钟。
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA 。
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
1.0 (25.4)
分钟。
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA 。
文档编号: 88526
修订: 20 - OCT- 09
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