1N4001 1N4007直通
威世通用半导体
50
100
t
p
= 1毫秒
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏
p-p
山顶前进
浪涌
电流（A ）
45
40
35
30
25
20
15
方
波形
10
25
50
t
p
t
p
= 2毫秒
t
p
= 5毫秒
结电容（pF ）
100
125
10
75
1
0.1
1
10
100
环境温度（ ℃）
反向电压（ V）
图。 3 - 非重复性峰值正向浪涌电流
图。 6 - 典型结电容
100
100
T
J
= 25 °C
脉冲宽度= 300微秒
1 ％占空比
10
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
10
1
1
0.1
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.1
0.01
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 4 - 典型正向特性
图。 7 - 典型的瞬态热阻抗
1000
瞬时反向电流（ μA ）
T
J
= 150 °C
100
10
T
J
= 100 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
0
20
40
60
80
100
的峰值反向电压百分比（ ％ ）
图。 5 - 典型的反向特性
文档编号： 88503
修订： 23 -FEB- 11
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