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30-F212R6A050SC01-M447E10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 30-F212R6A050SC01-M447E10
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内容描述: [IGBT4 technology for low saturation losses]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 18 页 / 2403 K
品牌: VINCOTECH [ VINCOTECH ]
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30-F212R6A050SC-M447-E-PM  
30-F212R6A050SC01-M447E10-PM  
D7a-b,D8a-b  
Figure 1  
D7a-b,D8a-b  
Figure 2  
D7a-b,D8a-b  
Typical diode forward current as  
a function of forward voltage  
IF= f(VF)  
Diode transient thermal impedance  
as a function of pulse width  
ZthJH = f(tp)  
100  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
10-1  
D = 0,5  
0,2  
0,1  
0,05  
0,02  
0,01  
0,005  
0.000  
t p (s)  
0
10-2  
VF (V)  
0
0,5  
1
1,5  
2
2,5  
1012  
10  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
At  
At  
tp / T  
D =  
Tj =  
tp =  
25/125  
250  
°C  
RthJH  
=
µs  
0,370  
K/W  
Figure 3  
Power dissipation as a  
D7a-b,D8a-b  
Figure 4  
Forward current as a  
D7a-b,D8a-b  
function of heatsink temperature  
function of heatsink temperature  
Ptot = f(Th)  
IF = f(Th)  
500  
400  
300  
200  
100  
0
250  
200  
150  
100  
50  
0
T h  
(
o C)  
T h (  
o C)  
0
50  
100  
150  
200  
0
50  
100  
150  
200  
At  
At  
Tj =  
Tj =  
150  
ºC  
150  
ºC  
Copyright by Vincotech  
12  
Revision: 1