初步
µRAM2xxx
(
μRAM3xxx数据未包括在本修订版）
450mV
450mV
VOUT=3V
400mV
400mV
VOUT=15V
图5净空
与在3V输出负载电流。
图7净空
与在28V输出的负载电流。
图9 V375A28C600A
和μRAM ;输入和输出
动态响应无C添加
TRAN
; 20A额定负载的20％
图4A的步骤（10A
➟
14A);R
HR
= 178K （配置为在图1 & 2）
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Vheadroom
Vheadroom
Vheadroom
Rhr=16k
300mV
17k
18k
19k
20k
200mV
21k
Rhr=80k
300mV
85k
90k
95k
100k
200mV
105k
1A
2A
4A
6A
8A
10A
I = I负荷
12A
14A
16A
18A
20A
1A
2A
4A
6A
8A
10A
I = I负荷
12A
14A
16A
18A
20A
V（ VSOURCE ） -V （ VOUT ）
V（ VSOURCE ） -V （ VOUT ）
图6净空
在与15V输出负载电流。
450mV
VOUT=28V
400mV
Rhr=150k
300mV
160k
170k
180k
190k
200mV
200k
1A
2A
4A
6A
8A
10A
I = I负荷
12A
14A
16A
18A
20A
V（ VSOURCE ） -V （ VOUT ）
图8 V375A28C600A
和μRAM ;输入和输出纹波
@ 50 ％ （ 10A）负载CH1 =六; CH 2 = Vo级; VI- VO = 332mV ; RHR = 178K
图10 V375A28C600A
和μRAM ;输入和输出
动态响应ç
TRAN
= 820μF的电解;负载阶跃32.5 ％
6.5A （共10A
➟
16.5A);R
HR
= 178K （配置为在图1 & 2）
MicroRAM数据表
修订版1.1
第6页共8
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