初步
功能说明（续）
有源环路检测输出电流，并降低了
以线性方式净空电压近似
MicroRAM的恒功率消耗的增加
载荷（参见图5，图6 & 7 ，第6页） 。净空设置
可以减小，以减少功耗，其中
瞬态电压要求低，效率纹波
衰减是主要的性能问题。
活动的动态余量范围上的限制低
由初始的余量设置和最大结束
预期负载。如果在应用程序中的最大负载是
10A的，例如， 1安培的余量可设置
为75mV低，以节省电力，而且还有活跃
净空高度为10安培的最大负载电流。该
高端或最大净空范围由限定
内部或运算二极管功能。
在SC或修剪机功能，可以使用遥控器时，
遥感是不提供源代码转换器或不
可取的。它是专门用于与转换器设计
1.23伏参考，并像一个1K欧姆输入阻抗
Vicor的第二代转换器。相比于远程
感应，使SC配置将在负载的错误
电压与负载电流。这将是成正比的
输出电流和负载路径的距离的电阻
输出的MicroRAM给负载的。
在或运算功能可以防止电流流动
在MicroRAM的输出反馈通过它的输入端
在事件冗余系统的配置是一个
转换器输出失败。当变换器输出
供应MicroRAM下垂下面的输出进行逻辑或运算
冗余系统的电压电势，对所述输入
MicroRAM从它的输出隔离。比50毫安少
将流出MicroRAM的输入端的过
在此条件下的全范围的输入电压。
+ IN
SC
C
TRAN
✱In
被动
块
活跃
块
+ OUT
SC
控制
V
REF
ÒOut
•内存
框图
应用笔记
负载电容可以影响整体的相位裕度
该MicroRAM有源环路以及相位裕
转换循环。分布式的变量，如
载荷路径，所述电容器的类型和值的电感
以及它的ESR和ESL也会影响在瞬态能力
的负载。下面的准则应考虑
当点负载电容是用来与MicroRAM
为了保持最少30度的相位裕度。
2）的情况下的负载电容相连接
直接向MicroRAM ，即输出无
走线电感，并且ESR为>1毫：
（一） 20μF至200μF负载电容需要一个ESL
>50nH的
（二） 200μF至1,000μF负载电容的需要
>5nH的ESL
3 ）直接在输出端加低ESR电容
MicroRAM的端子，不推荐并
可能会导致稳定性问题。
4）在实践中，分布板或导线的电感，在一个
加载或负载板将是足够的隔离
该MicroRAM的任何负载电容输出
并尽量减少对相位裕度的任何明显的影响。
1）使用具有<1milliohm陶瓷负载电容
ESR和ESL <1nH ：
（一） 20μF至200μF需要跟踪/线20nH
加载路径的电感
（二） 200μF至1,000μF需要跟踪/线60nH
加载路径的电感
VICOR公司
电话： 800-735-6200 ， 978-470-2900传真： 978-475-6715
MicroRAM数据表
修订版1.1
第4页8
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